IRF640SPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Artikelnummer
IRF640SPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46508 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF640SPBF
IRF640SPBF Elektroniska komponenter
IRF640SPBF Försäljning
IRF640SPBF Leverantör
IRF640SPBF Distributör
IRF640SPBF Datatabell
IRF640SPBF Foton
IRF640SPBF Pris
IRF640SPBF Erbjudande
IRF640SPBF Lägsta pris
IRF640SPBF Sök
IRF640SPBF Köp av
IRF640SPBF Chip