IRF640PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Artikelnummer
IRF640PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29993 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF640PBF
IRF640PBF Elektroniska komponenter
IRF640PBF Försäljning
IRF640PBF Leverantör
IRF640PBF Distributör
IRF640PBF Datatabell
IRF640PBF Foton
IRF640PBF Pris
IRF640PBF Erbjudande
IRF640PBF Lägsta pris
IRF640PBF Sök
IRF640PBF Köp av
IRF640PBF Chip