IRF640LPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Artikelnummer
IRF640LPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262-3
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25029 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF640LPBF
IRF640LPBF Elektroniska komponenter
IRF640LPBF Försäljning
IRF640LPBF Leverantör
IRF640LPBF Distributör
IRF640LPBF Datatabell
IRF640LPBF Foton
IRF640LPBF Pris
IRF640LPBF Erbjudande
IRF640LPBF Lägsta pris
IRF640LPBF Sök
IRF640LPBF Köp av
IRF640LPBF Chip