IRF634S
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Artikelnummer
IRF634S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10557 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF634S
IRF634S Elektroniska komponenter
IRF634S Försäljning
IRF634S Leverantör
IRF634S Distributör
IRF634S Datatabell
IRF634S Foton
IRF634S Pris
IRF634S Erbjudande
IRF634S Lägsta pris
IRF634S Sök
IRF634S Köp av
IRF634S Chip