IRF630STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Artikelnummer
IRF630STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263)
Effektförlust (max)
3W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51374 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF630STRRPBF
IRF630STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF630STRRPBF Försäljning
IRF630STRRPBF Leverantör
IRF630STRRPBF Distributör
IRF630STRRPBF Datatabell
IRF630STRRPBF Foton
IRF630STRRPBF Pris
IRF630STRRPBF Erbjudande
IRF630STRRPBF Lägsta pris
IRF630STRRPBF Sök
IRF630STRRPBF Köp av
IRF630STRRPBF Chip