IRF630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Artikelnummer
IRF630PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21534 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF630PBF
IRF630PBF Elektroniska komponenter
IRF630PBF Försäljning
IRF630PBF Leverantör
IRF630PBF Distributör
IRF630PBF Datatabell
IRF630PBF Foton
IRF630PBF Pris
IRF630PBF Erbjudande
IRF630PBF Lägsta pris
IRF630PBF Sök
IRF630PBF Köp av
IRF630PBF Chip