IRF630L
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
Artikelnummer
IRF630L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52094 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF630L
IRF630L Elektroniska komponenter
IRF630L Försäljning
IRF630L Leverantör
IRF630L Distributör
IRF630L Datatabell
IRF630L Foton
IRF630L Pris
IRF630L Erbjudande
IRF630L Lägsta pris
IRF630L Sök
IRF630L Köp av
IRF630L Chip