IRF624PBF
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
Artikelnummer
IRF624PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48656 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF624PBF
IRF624PBF Elektroniska komponenter
IRF624PBF Försäljning
IRF624PBF Leverantör
IRF624PBF Distributör
IRF624PBF Datatabell
IRF624PBF Foton
IRF624PBF Pris
IRF624PBF Erbjudande
IRF624PBF Lägsta pris
IRF624PBF Sök
IRF624PBF Köp av
IRF624PBF Chip