IRF620L
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262
Artikelnummer
IRF620L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18869 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF620L
IRF620L Elektroniska komponenter
IRF620L Försäljning
IRF620L Leverantör
IRF620L Distributör
IRF620L Datatabell
IRF620L Foton
IRF620L Pris
IRF620L Erbjudande
IRF620L Lägsta pris
IRF620L Sök
IRF620L Köp av
IRF620L Chip