IRF620
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
Artikelnummer
IRF620
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23078 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF620
IRF620 Elektroniska komponenter
IRF620 Försäljning
IRF620 Leverantör
IRF620 Distributör
IRF620 Datatabell
IRF620 Foton
IRF620 Pris
IRF620 Erbjudande
IRF620 Lägsta pris
IRF620 Sök
IRF620 Köp av
IRF620 Chip