Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF614S
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Artikelnummer
IRF614S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43998 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF614S
IRF614S Elektroniska komponenter
IRF614S Försäljning
IRF614S Leverantör
IRF614S Distributör
IRF614S Datatabell
IRF614S Foton
IRF614S Pris
IRF614S Erbjudande
IRF614S Lägsta pris
IRF614S Sök
IRF614S Köp av
IRF614S Chip