Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF614L
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262
Artikelnummer
IRF614L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32542 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF614L
IRF614L Elektroniska komponenter
IRF614L Försäljning
IRF614L Leverantör
IRF614L Distributör
IRF614L Datatabell
IRF614L Foton
IRF614L Pris
IRF614L Erbjudande
IRF614L Lägsta pris
IRF614L Sök
IRF614L Köp av
IRF614L Chip