IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Artikelnummer
IRF610STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17839 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF610STRRPBF
IRF610STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF610STRRPBF Försäljning
IRF610STRRPBF Leverantör
IRF610STRRPBF Distributör
IRF610STRRPBF Datatabell
IRF610STRRPBF Foton
IRF610STRRPBF Pris
IRF610STRRPBF Erbjudande
IRF610STRRPBF Lägsta pris
IRF610STRRPBF Sök
IRF610STRRPBF Köp av
IRF610STRRPBF Chip