IRF610STRL
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Artikelnummer
IRF610STRL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14297 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF610STRL
IRF610STRL Elektroniska komponenter
IRF610STRL Försäljning
IRF610STRL Leverantör
IRF610STRL Distributör
IRF610STRL Datatabell
IRF610STRL Foton
IRF610STRL Pris
IRF610STRL Erbjudande
IRF610STRL Lägsta pris
IRF610STRL Sök
IRF610STRL Köp av
IRF610STRL Chip