IRF610SPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Artikelnummer
IRF610SPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47302 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF610SPBF
IRF610SPBF Elektroniska komponenter
IRF610SPBF Försäljning
IRF610SPBF Leverantör
IRF610SPBF Distributör
IRF610SPBF Datatabell
IRF610SPBF Foton
IRF610SPBF Pris
IRF610SPBF Erbjudande
IRF610SPBF Lägsta pris
IRF610SPBF Sök
IRF610SPBF Köp av
IRF610SPBF Chip