IRF610PBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Artikelnummer
IRF610PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33378 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF610PBF
IRF610PBF Elektroniska komponenter
IRF610PBF Försäljning
IRF610PBF Leverantör
IRF610PBF Distributör
IRF610PBF Datatabell
IRF610PBF Foton
IRF610PBF Pris
IRF610PBF Erbjudande
IRF610PBF Lägsta pris
IRF610PBF Sök
IRF610PBF Köp av
IRF610PBF Chip