IRF610LPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Artikelnummer
IRF610LPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47374 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF610LPBF
IRF610LPBF Elektroniska komponenter
IRF610LPBF Försäljning
IRF610LPBF Leverantör
IRF610LPBF Distributör
IRF610LPBF Datatabell
IRF610LPBF Foton
IRF610LPBF Pris
IRF610LPBF Erbjudande
IRF610LPBF Lägsta pris
IRF610LPBF Sök
IRF610LPBF Köp av
IRF610LPBF Chip