IRF610L
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Artikelnummer
IRF610L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38614 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF610L
IRF610L Elektroniska komponenter
IRF610L Försäljning
IRF610L Leverantör
IRF610L Distributör
IRF610L Datatabell
IRF610L Foton
IRF610L Pris
IRF610L Erbjudande
IRF610L Lägsta pris
IRF610L Sök
IRF610L Köp av
IRF610L Chip