IRC644PBF
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5
Artikelnummer
IRC644PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-5
Leverantörsenhetspaket
TO-220-5
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Current Sensing
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46889 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRC644PBF
IRC644PBF Elektroniska komponenter
IRC644PBF Försäljning
IRC644PBF Leverantör
IRC644PBF Distributör
IRC644PBF Datatabell
IRC644PBF Foton
IRC644PBF Pris
IRC644PBF Erbjudande
IRC644PBF Lägsta pris
IRC644PBF Sök
IRC644PBF Köp av
IRC644PBF Chip