IRC630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
Artikelnummer
IRC630PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-5
Leverantörsenhetspaket
TO-220-5
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Current Sensing
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38983 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRC630PBF
IRC630PBF Elektroniska komponenter
IRC630PBF Försäljning
IRC630PBF Leverantör
IRC630PBF Distributör
IRC630PBF Datatabell
IRC630PBF Foton
IRC630PBF Pris
IRC630PBF Erbjudande
IRC630PBF Lägsta pris
IRC630PBF Sök
IRC630PBF Köp av
IRC630PBF Chip