IRC640PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
Artikelnummer
IRC640PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-5
Leverantörsenhetspaket
TO-220-5
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Current Sensing
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5181 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRC640PBF
IRC640PBF Elektroniska komponenter
IRC640PBF Försäljning
IRC640PBF Leverantör
IRC640PBF Distributör
IRC640PBF Datatabell
IRC640PBF Foton
IRC640PBF Pris
IRC640PBF Erbjudande
IRC640PBF Lägsta pris
IRC640PBF Sök
IRC640PBF Köp av
IRC640PBF Chip