TPN2R805PL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Artikelnummer
TPN2R805PL,L1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSIX-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
175°C
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Effektförlust (max)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
45V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
139A (Ta), 80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51771 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPN2R805PL,L1Q
TPN2R805PL,L1Q Elektroniska komponenter
TPN2R805PL,L1Q Försäljning
TPN2R805PL,L1Q Leverantör
TPN2R805PL,L1Q Distributör
TPN2R805PL,L1Q Datatabell
TPN2R805PL,L1Q Foton
TPN2R805PL,L1Q Pris
TPN2R805PL,L1Q Erbjudande
TPN2R805PL,L1Q Lägsta pris
TPN2R805PL,L1Q Sök
TPN2R805PL,L1Q Köp av
TPN2R805PL,L1Q Chip