TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Artikelnummer
TK17E80W,S1X
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2050pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25518 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK17E80W,S1X
TK17E80W,S1X Elektroniska komponenter
TK17E80W,S1X Försäljning
TK17E80W,S1X Leverantör
TK17E80W,S1X Distributör
TK17E80W,S1X Datatabell
TK17E80W,S1X Foton
TK17E80W,S1X Pris
TK17E80W,S1X Erbjudande
TK17E80W,S1X Lägsta pris
TK17E80W,S1X Sök
TK17E80W,S1X Köp av
TK17E80W,S1X Chip