TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Artikelnummer
TK17A80W,S4X
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220SIS
Effektförlust (max)
45W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2050pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24769 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK17A80W,S4X
TK17A80W,S4X Elektroniska komponenter
TK17A80W,S4X Försäljning
TK17A80W,S4X Leverantör
TK17A80W,S4X Distributör
TK17A80W,S4X Datatabell
TK17A80W,S4X Foton
TK17A80W,S4X Pris
TK17A80W,S4X Erbjudande
TK17A80W,S4X Lägsta pris
TK17A80W,S4X Sök
TK17A80W,S4X Köp av
TK17A80W,S4X Chip