TK17E65W,S1X
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Artikelnummer
TK17E65W,S1X
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
165W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 900µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18117 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK17E65W,S1X
TK17E65W,S1X Elektroniska komponenter
TK17E65W,S1X Försäljning
TK17E65W,S1X Leverantör
TK17E65W,S1X Distributör
TK17E65W,S1X Datatabell
TK17E65W,S1X Foton
TK17E65W,S1X Pris
TK17E65W,S1X Erbjudande
TK17E65W,S1X Lägsta pris
TK17E65W,S1X Sök
TK17E65W,S1X Köp av
TK17E65W,S1X Chip