TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Artikelnummer
TK10V60W,LVQ
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-VSFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
4-DFN-EP (8x8)
Effektförlust (max)
88.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18127 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK10V60W,LVQ
TK10V60W,LVQ Elektroniska komponenter
TK10V60W,LVQ Försäljning
TK10V60W,LVQ Leverantör
TK10V60W,LVQ Distributör
TK10V60W,LVQ Datatabell
TK10V60W,LVQ Foton
TK10V60W,LVQ Pris
TK10V60W,LVQ Erbjudande
TK10V60W,LVQ Lägsta pris
TK10V60W,LVQ Sök
TK10V60W,LVQ Köp av
TK10V60W,LVQ Chip