TK100E06N1,S1X
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Artikelnummer
TK100E06N1,S1X
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
255W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39670 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK100E06N1,S1X
TK100E06N1,S1X Elektroniska komponenter
TK100E06N1,S1X Försäljning
TK100E06N1,S1X Leverantör
TK100E06N1,S1X Distributör
TK100E06N1,S1X Datatabell
TK100E06N1,S1X Foton
TK100E06N1,S1X Pris
TK100E06N1,S1X Erbjudande
TK100E06N1,S1X Lägsta pris
TK100E06N1,S1X Sök
TK100E06N1,S1X Köp av
TK100E06N1,S1X Chip