IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Artikelnummer
IRF630
Tillverkare/varumärke
Serier
MESH OVERLAY™ II
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
75W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35275 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF630
IRF630 Elektroniska komponenter
IRF630 Försäljning
IRF630 Leverantör
IRF630 Distributör
IRF630 Datatabell
IRF630 Foton
IRF630 Pris
IRF630 Erbjudande
IRF630 Lägsta pris
IRF630 Sök
IRF630 Köp av
IRF630 Chip