SCT3080ALGC11
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Artikelnummer
SCT3080ALGC11
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247N
Effektförlust (max)
134W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
571pF @ 500V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
Vgs (max)
+22V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35372 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SCT3080ALGC11
SCT3080ALGC11 Elektroniska komponenter
SCT3080ALGC11 Försäljning
SCT3080ALGC11 Leverantör
SCT3080ALGC11 Distributör
SCT3080ALGC11 Datatabell
SCT3080ALGC11 Foton
SCT3080ALGC11 Pris
SCT3080ALGC11 Erbjudande
SCT3080ALGC11 Lägsta pris
SCT3080ALGC11 Sök
SCT3080ALGC11 Köp av
SCT3080ALGC11 Chip