SCT3030KLGC11
MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Artikelnummer
SCT3030KLGC11
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247N
Effektförlust (max)
339W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 13.3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
131nC @ 18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2222pF @ 800V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
Vgs (max)
+22V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35435 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SCT3030KLGC11
SCT3030KLGC11 Elektroniska komponenter
SCT3030KLGC11 Försäljning
SCT3030KLGC11 Leverantör
SCT3030KLGC11 Distributör
SCT3030KLGC11 Datatabell
SCT3030KLGC11 Foton
SCT3030KLGC11 Pris
SCT3030KLGC11 Erbjudande
SCT3030KLGC11 Lägsta pris
SCT3030KLGC11 Sök
SCT3030KLGC11 Köp av
SCT3030KLGC11 Chip