SCT3060ALGC11
MOSFET NCH 650V 39A TO247N
Artikelnummer
SCT3060ALGC11
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247N
Effektförlust (max)
165W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 6.67mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
852pF @ 500V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
Vgs (max)
+22V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9513 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SCT3060ALGC11
SCT3060ALGC11 Elektroniska komponenter
SCT3060ALGC11 Försäljning
SCT3060ALGC11 Leverantör
SCT3060ALGC11 Distributör
SCT3060ALGC11 Datatabell
SCT3060ALGC11 Foton
SCT3060ALGC11 Pris
SCT3060ALGC11 Erbjudande
SCT3060ALGC11 Lägsta pris
SCT3060ALGC11 Sök
SCT3060ALGC11 Köp av
SCT3060ALGC11 Chip