NTMSD3P102R2G
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Artikelnummer
NTMSD3P102R2G
Tillverkare/varumärke
Serier
FETKY™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
730mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22025 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMSD3P102R2G
NTMSD3P102R2G Elektroniska komponenter
NTMSD3P102R2G Försäljning
NTMSD3P102R2G Leverantör
NTMSD3P102R2G Distributör
NTMSD3P102R2G Datatabell
NTMSD3P102R2G Foton
NTMSD3P102R2G Pris
NTMSD3P102R2G Erbjudande
NTMSD3P102R2G Lägsta pris
NTMSD3P102R2G Sök
NTMSD3P102R2G Köp av
NTMSD3P102R2G Chip