NTMS3P03R2G
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
Artikelnummer
NTMS3P03R2G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
730mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 24V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7785 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMS3P03R2G
NTMS3P03R2G Elektroniska komponenter
NTMS3P03R2G Försäljning
NTMS3P03R2G Leverantör
NTMS3P03R2G Distributör
NTMS3P03R2G Datatabell
NTMS3P03R2G Foton
NTMS3P03R2G Pris
NTMS3P03R2G Erbjudande
NTMS3P03R2G Lägsta pris
NTMS3P03R2G Sök
NTMS3P03R2G Köp av
NTMS3P03R2G Chip