NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Artikelnummer
NTMS10P02R2G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
1.6W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3640pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28606 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Elektroniska komponenter
NTMS10P02R2G Försäljning
NTMS10P02R2G Leverantör
NTMS10P02R2G Distributör
NTMS10P02R2G Datatabell
NTMS10P02R2G Foton
NTMS10P02R2G Pris
NTMS10P02R2G Erbjudande
NTMS10P02R2G Lägsta pris
NTMS10P02R2G Sök
NTMS10P02R2G Köp av
NTMS10P02R2G Chip