NTMS10P02R2
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Artikelnummer
NTMS10P02R2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
1.6W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3640pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16043 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMS10P02R2
NTMS10P02R2 Elektroniska komponenter
NTMS10P02R2 Försäljning
NTMS10P02R2 Leverantör
NTMS10P02R2 Distributör
NTMS10P02R2 Datatabell
NTMS10P02R2 Foton
NTMS10P02R2 Pris
NTMS10P02R2 Erbjudande
NTMS10P02R2 Lägsta pris
NTMS10P02R2 Sök
NTMS10P02R2 Köp av
NTMS10P02R2 Chip