NTMS5835NLR2G
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Artikelnummer
NTMS5835NLR2G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2115pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11329 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMS5835NLR2G
NTMS5835NLR2G Elektroniska komponenter
NTMS5835NLR2G Försäljning
NTMS5835NLR2G Leverantör
NTMS5835NLR2G Distributör
NTMS5835NLR2G Datatabell
NTMS5835NLR2G Foton
NTMS5835NLR2G Pris
NTMS5835NLR2G Erbjudande
NTMS5835NLR2G Lägsta pris
NTMS5835NLR2G Sök
NTMS5835NLR2G Köp av
NTMS5835NLR2G Chip