NTMS4N01R2G
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Artikelnummer
NTMS4N01R2G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
770mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7256 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMS4N01R2G
NTMS4N01R2G Elektroniska komponenter
NTMS4N01R2G Försäljning
NTMS4N01R2G Leverantör
NTMS4N01R2G Distributör
NTMS4N01R2G Datatabell
NTMS4N01R2G Foton
NTMS4N01R2G Pris
NTMS4N01R2G Erbjudande
NTMS4N01R2G Lägsta pris
NTMS4N01R2G Sök
NTMS4N01R2G Köp av
NTMS4N01R2G Chip