NTMS4800NR2G
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Artikelnummer
NTMS4800NR2G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
750mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9109 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMS4800NR2G
NTMS4800NR2G Elektroniska komponenter
NTMS4800NR2G Försäljning
NTMS4800NR2G Leverantör
NTMS4800NR2G Distributör
NTMS4800NR2G Datatabell
NTMS4800NR2G Foton
NTMS4800NR2G Pris
NTMS4800NR2G Erbjudande
NTMS4800NR2G Lägsta pris
NTMS4800NR2G Sök
NTMS4800NR2G Köp av
NTMS4800NR2G Chip