NTMS4176PR2G
MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
Artikelnummer
NTMS4176PR2G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
810mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1720pF @ 24V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11558 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMS4176PR2G
NTMS4176PR2G Elektroniska komponenter
NTMS4176PR2G Försäljning
NTMS4176PR2G Leverantör
NTMS4176PR2G Distributör
NTMS4176PR2G Datatabell
NTMS4176PR2G Foton
NTMS4176PR2G Pris
NTMS4176PR2G Erbjudande
NTMS4176PR2G Lägsta pris
NTMS4176PR2G Sök
NTMS4176PR2G Köp av
NTMS4176PR2G Chip