NTMS4107NR2G
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Artikelnummer
NTMS4107NR2G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
930mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46610 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTMS4107NR2G
NTMS4107NR2G Elektroniska komponenter
NTMS4107NR2G Försäljning
NTMS4107NR2G Leverantör
NTMS4107NR2G Distributör
NTMS4107NR2G Datatabell
NTMS4107NR2G Foton
NTMS4107NR2G Pris
NTMS4107NR2G Erbjudande
NTMS4107NR2G Lägsta pris
NTMS4107NR2G Sök
NTMS4107NR2G Köp av
NTMS4107NR2G Chip