Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQB6N60TM

FQB6N60TM

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Artikelnummer
FQB6N60TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51079 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQB6N60TM
FQB6N60TM Elektroniska komponenter
FQB6N60TM Försäljning
FQB6N60TM Leverantör
FQB6N60TM Distributör
FQB6N60TM Datatabell
FQB6N60TM Foton
FQB6N60TM Pris
FQB6N60TM Erbjudande
FQB6N60TM Lägsta pris
FQB6N60TM Sök
FQB6N60TM Köp av
FQB6N60TM Chip