Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQB630TM

FQB630TM

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Artikelnummer
FQB630TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 78W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9600 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQB630TM
FQB630TM Elektroniska komponenter
FQB630TM Försäljning
FQB630TM Leverantör
FQB630TM Distributör
FQB630TM Datatabell
FQB630TM Foton
FQB630TM Pris
FQB630TM Erbjudande
FQB630TM Lägsta pris
FQB630TM Sök
FQB630TM Köp av
FQB630TM Chip