Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQB6N25TM

FQB6N25TM

MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
Artikelnummer
FQB6N25TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26069 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQB6N25TM
FQB6N25TM Elektroniska komponenter
FQB6N25TM Försäljning
FQB6N25TM Leverantör
FQB6N25TM Distributör
FQB6N25TM Datatabell
FQB6N25TM Foton
FQB6N25TM Pris
FQB6N25TM Erbjudande
FQB6N25TM Lägsta pris
FQB6N25TM Sök
FQB6N25TM Köp av
FQB6N25TM Chip