FQB65N06TM
MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Artikelnummer
FQB65N06TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16486 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB65N06TM
FQB65N06TM Elektroniska komponenter
FQB65N06TM Försäljning
FQB65N06TM Leverantör
FQB65N06TM Distributör
FQB65N06TM Datatabell
FQB65N06TM Foton
FQB65N06TM Pris
FQB65N06TM Erbjudande
FQB65N06TM Lägsta pris
FQB65N06TM Sök
FQB65N06TM Köp av
FQB65N06TM Chip