FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
Artikelnummer
FQB17P10TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 100W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21695 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB17P10TM
FQB17P10TM Elektroniska komponenter
FQB17P10TM Försäljning
FQB17P10TM Leverantör
FQB17P10TM Distributör
FQB17P10TM Datatabell
FQB17P10TM Foton
FQB17P10TM Pris
FQB17P10TM Erbjudande
FQB17P10TM Lägsta pris
FQB17P10TM Sök
FQB17P10TM Köp av
FQB17P10TM Chip