FQB10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
Artikelnummer
FQB10N20CTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
72W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25784 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB10N20CTM
FQB10N20CTM Elektroniska komponenter
FQB10N20CTM Försäljning
FQB10N20CTM Leverantör
FQB10N20CTM Distributör
FQB10N20CTM Datatabell
FQB10N20CTM Foton
FQB10N20CTM Pris
FQB10N20CTM Erbjudande
FQB10N20CTM Lägsta pris
FQB10N20CTM Sök
FQB10N20CTM Köp av
FQB10N20CTM Chip