FQB10N50CFTM-WS
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Artikelnummer
FQB10N50CFTM-WS
Tillverkare/varumärke
Serier
FRFET®, QFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
143W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
610 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2210pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16904 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB10N50CFTM-WS
FQB10N50CFTM-WS Elektroniska komponenter
FQB10N50CFTM-WS Försäljning
FQB10N50CFTM-WS Leverantör
FQB10N50CFTM-WS Distributör
FQB10N50CFTM-WS Datatabell
FQB10N50CFTM-WS Foton
FQB10N50CFTM-WS Pris
FQB10N50CFTM-WS Erbjudande
FQB10N50CFTM-WS Lägsta pris
FQB10N50CFTM-WS Sök
FQB10N50CFTM-WS Köp av
FQB10N50CFTM-WS Chip