FQB10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Artikelnummer
FQB10N20LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 87W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35751 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB10N20LTM
FQB10N20LTM Elektroniska komponenter
FQB10N20LTM Försäljning
FQB10N20LTM Leverantör
FQB10N20LTM Distributör
FQB10N20LTM Datatabell
FQB10N20LTM Foton
FQB10N20LTM Pris
FQB10N20LTM Erbjudande
FQB10N20LTM Lägsta pris
FQB10N20LTM Sök
FQB10N20LTM Köp av
FQB10N20LTM Chip