FQB15P12TM
MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
Artikelnummer
FQB15P12TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 100W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19637 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB15P12TM
FQB15P12TM Elektroniska komponenter
FQB15P12TM Försäljning
FQB15P12TM Leverantör
FQB15P12TM Distributör
FQB15P12TM Datatabell
FQB15P12TM Foton
FQB15P12TM Pris
FQB15P12TM Erbjudande
FQB15P12TM Lägsta pris
FQB15P12TM Sök
FQB15P12TM Köp av
FQB15P12TM Chip