LSIC1MO120E0160
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Artikelnummer
LSIC1MO120E0160
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 800V
Vgs (max)
+22V, -6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35988 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160 Elektroniska komponenter
LSIC1MO120E0160 Försäljning
LSIC1MO120E0160 Leverantör
LSIC1MO120E0160 Distributör
LSIC1MO120E0160 Datatabell
LSIC1MO120E0160 Foton
LSIC1MO120E0160 Pris
LSIC1MO120E0160 Erbjudande
LSIC1MO120E0160 Lägsta pris
LSIC1MO120E0160 Sök
LSIC1MO120E0160 Köp av
LSIC1MO120E0160 Chip